

適用范圍:
硅片(拋光片、外延片、SOI片、氬退火片、碳化硅片、硅基氮化鎵外延片、晶圓(2寸、4寸、6寸、8寸、12寸)、芯片、電路板、線路板
檢測(cè)項(xiàng)目:
丨無損分析
• 外觀形貌
• X-ray透射
• X-ray(3D)
• 聲學(xué)掃描(C-SAM)
• 膜厚測(cè)試
丨破壞性分析
• DPA分析
• 金相切片
• 斷面SEM/EDS分析
• 開封技術(shù) (機(jī)械開封、激光開封、化學(xué)開封)
丨電性能測(cè)試
• 連接性測(cè)試
• 電參數(shù)測(cè)試
• 功能測(cè)試
丨失效復(fù)現(xiàn)/驗(yàn)證
• 復(fù)現(xiàn)驗(yàn)證
• 可靠性驗(yàn)證 (恒溫、恒濕、冷熱沖擊等)
• 器件對(duì)比
丨失效分析
• PCB/PCBA失效分析
• 電子元器件失效分析
• 液晶模組失效分析
• 功能失效
• 電參數(shù)漂移
• CAF失效
• 非穩(wěn)定失效
• 形貌觀察與測(cè)量
• 顯微結(jié)構(gòu)分析
• 異物分析
丨材料表征分析檢測(cè)
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測(cè)試類型 |
說明 |
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FIB TEM D-SIMS AFM SEM-EDS XPS 納米壓痕 薄膜應(yīng)力測(cè)試儀 SRP XRT TOF-SIMS XRR 汞探針CV |
用于TEM/SEM制樣等 透射電子顯微鏡,用于顯微分析觀察 摻雜元素、深度分布(bulk,prorie) 用于晶圓粗糙度測(cè)試、電性測(cè)試等(配置12寸載臺(tái)) 提供微觀形貌測(cè)試,并可搭配EDS、EBSD等設(shè)備完成其他需求(配置有8寸腔體) 表面nm深度的元素半定量測(cè)試(需含量大于0.1%) 薄膜硬度,楊氏模量 測(cè)試薄膜應(yīng)力 測(cè)量節(jié)深,BP摻雜濃度隨著深度的變化 晶圓內(nèi)部晶格缺陷分布 元素、分子片段、定性定量(定量需標(biāo)) 提供薄膜的厚度,粗糙度,密度 載流子濃度測(cè)試 |

品牌資質(zhì)雙重保證
NOA作為國(guó)內(nèi)頭部檢測(cè)認(rèn)證機(jī)構(gòu),行業(yè)內(nèi)具有相當(dāng)?shù)钠放朴绊懥蜋?quán)威性,NOA獲得CMA,CNAS認(rèn)證,確保其管理體系和技術(shù)能力符合要求。
設(shè)備保障,技術(shù)可靠
NOA電子材料和化學(xué)品測(cè)試中心配備高精度設(shè)備,并定期校準(zhǔn)和維護(hù),測(cè)試人員行業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富,嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)操作程序進(jìn)行測(cè)試,確保測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性。
質(zhì)量持續(xù)控制,數(shù)據(jù)報(bào)告嚴(yán)格審核
NOA通過內(nèi)部質(zhì)量控制(如使用標(biāo)準(zhǔn)樣品)和外部能力驗(yàn)證,持續(xù)監(jiān)控檢測(cè)質(zhì)量。測(cè)試數(shù)據(jù)需經(jīng)過多重審核,確保結(jié)果準(zhǔn)確無誤。






